La anuncian como “la memoria flash de mayor densidad del mundo”. Micron e Intel han anunciado la disponibilidad de su tecnología de NAND 3D. La memoria flash es una tecnología de almacenamiento que actualmente se emplea en los ordenadores portátiles más ligeros, en los centros de datos más potentes y en prácticamente todos los móviles, tabletas y otros dispositivos móviles.
Esta nueva tecnología de NAND 3D, desarrollada conjuntamente por las dos empresas, emplea celdas de almacenamiento superpuestas en capas en una pila vertical de una extraordinaria precisión, creando así dispositivos de almacenamiento con una capacidad tres veces superior a la de las tecnologías NAND de sus competidoras, según explican sus promotores. Esta densidad permite ofrecer más capacidad de almacenamiento en volúmenes más pequeños, lo que se traduce en ventajas significativas en términos de espacio, menor consumo energético, y un gran rendimiento para un amplio espectro de dispositivos móviles de consumo, así como para las aplicaciones empresariales más exigentes.
La memoria flash NAND plana está encontrando limitaciones prácticas en lo que respecta a su escalabilidad, lo que representaba un reto significativo para el sector de la memoria. La tecnología NAND 3D está llamada a revolucionar el sector, brindándole la oportunidad de continuar avanzando al ritmo que preveía la Ley de Moore. Esta tendencia permitirá al sector seguir ofreciendo un mayor rendimiento a un menor coste, redundando así en un uso más generalizado del almacenamiento flash.
“La colaboración entre Micron e Intel ha dado como fruto una tecnología de almacenamiento de estado sólido líder en el sector, que ofrece una gran densidad, rendimiento y eficiencia sin igual entre los productos flash que se ofrecen en la actualidad,” ha asegurado Brian Shirley, vicepresidente de Memory Technology and Solutions de Micron Technology. “Esta tecnología NAND 3D tiene el potencial de estimular cambios significativos en el mercado. Al haber hecho posibles un sinfín de soluciones que van desde los smartphones hasta los superordenadores optimizados mediante memoria flash, esta tecnología ha tenido una gran repercusión en nuestro sector. Sin embargo, estos avances no representan sino una pequeña muestra de que es posible gracias a esta tecnología.”
“El trabajo de desarrollo de Intel en colaboración con Micron es un reflejo de nuestra dedicación constante para comercializar tecnologías de memoria no volátil innovadoras y líderes en el sector,” ha apuntado Rob Crooke, vicepresidente jefe y director general de la división Non-Volatile Memory Solutions Group de Intel Corporation. “Las significativas mejoras en términos de densidad y costes que nuestra nueva tecnología NAND 3D hacen posible contribuirán a acelerar la expansión de las soluciones de almacenamiento de estado sólido en todo tipo de plataformas de computación.”
